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IP명 고주파 대역의 CMOS 기반 선형 전력 증폭기
Category RF Application RF block
실설계면적 3.8㎛ X 3.8㎛ 공급 전압 3.3V
IP유형 Hard IP 동작속도 2 GHz
검증단계 Silicon 참여공정 MS180-1504
IP개요 현재 Si CMOS 공정을 이용한 RF PA에 대한 많은 연구가 진행되고 있다.
이번 MPW에서는 RF PA를 설계시에 시뮬레이션과 실제의 오차를 줄이기 위하여
다양한 Inductor pattern, Power cell, RF block 들을 설계하였다.
- 레이아웃 사진 -