| IP명 | Nuclear event detector circuit | ||
|---|---|---|---|
| Category | Analog | Application | 군용전자장비 |
| 실설계면적 | 3.6㎛ X 1.6㎛ | 공급 전압 | 3.3V |
| IP유형 | Hard IP | 동작속도 | 50MHz |
| 검증단계 | Silicon | 참여공정 | MS180-1504 |
| IP개요 | 실제 군에서 사용되는 다수의 전자부품소자들의 경우 국외에서 명시한 핵 방사선에 대한 내방사선(Radiation hardening) 기준인 ∼1012rad(si)/sec에 크게 미치지 못하는 ∼108rad(si)/sec수준에서 심각한 오류현상이 발생하는 것을 확인하였고, 핵 방호기술을 구축하기 위한 방안으로는 방사선 차폐 및 내방사선화된 전자부품을 이용한 설계를 적용하는 것이 최선이 방법이지만 실질적으로 모든 군용장비를 구성하는 전자시스템의 내방사선기술을 적용하기 위해서는 천문학적인 비용이 소요된다. 따라서 현실적인 대안으로 제안된 방법이 핵탐지 및 회피기술로서 군 주요 전자부품에 대하여 초기 핵방사선의 영향을 최소화하는 경제적 내방사선 구현 기술이며 실제 미국을 비롯한 주요 선진국에서는 초기 핵방사선을 탐지 후 회피하여 군의 주요장비를 방호하기 위한 기술을 개발/상용화하여 실전에 배치하고 있다. 미국 Maxwell사의 경우 4종의 HNS3000시리즈의 NED모듈을 자체 개발하여 1985년부터 현재까지 주요 무기체계에 적용하고 있으며 다수의 관련 특허를 보유하고 있다. 본 설계에서는 핵폭발시 발생하는 감마선이 PIN diode에 입력되면 발생되는 photo current를 감지하고 검출 신호를 출력하여 전자부품의 전원을 일시적으로 차단하여 전자부품을 보호하고자 펄스신호 고속처리 회로를 설계하고자 한다. |
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- 레이아웃 사진 -
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