| IP명 | CMOS 기반의 선형 고주파 전력 증폭기 | ||
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| Category | Analog | Application | Mobile application |
| 실설계면적 | 2.5㎛ X 2.5㎛ | 공급 전압 | 3.3V |
| IP유형 | Hard IP | 동작속도 | 3GHz |
| 검증단계 | Silicon | 참여공정 | MS180-1502 |
| IP개요 | 현재의 무선 통신을 지원하기 위한 고주파 회로 역시 기존 기술에 비하여 점점 더 발전 된 기술의 개발이 요구 되고 있다. 기존의 화합물 반도체로 설계된 전력증폭기를 단가 절감 및 다기능 탑재를 위해 CMOS 기반의 전력증폭기를 설계한다. CMOS 기술로 설계시 단점들을 보완하기 위해 Differential cascode 구조와 입출력 Transformer 및 Multi-stage를 사용하였다. 그 결과 Peak output power 32 dBm, PAE 20%의 결과를 얻었다. | ||
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