IP명 가변프레임을 이용한 저전력 CMOS 이미지 센서 Category Mixed Application CMOS image sensor 실설계면적 4㎛ X 3㎛ 공급 전압 3.3V IP유형 Hard IP 동작속도 100MHz 검증단계 Silicon 참여공정 MS350-1501 IP개요 고성능 CMOS 이미지 센서의 설계 - 레이아웃 사진 -
