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IP Library

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"한국 반도체산업의 경쟁력"

IDEC에서 설계인력양성의 발판을 마련하겠습니다.

IP명 Design of a Beta Ray Sensor
Category Analog Application 신호처리
실설계면적 5㎛ X 5㎛ 공급 전압 5V
IP유형 Hard IP 동작속도 000Hz
검증단계 Silicon 참여공정 DB180-2001
IP개요 본 IP는 PMOS 피드백 트랜지스터의 게이트를 DC 전압으로 바이어스하는 대신 PMOS 피드백 트랜지스터에 흐르는 전류가 PVT 변동에 둔감하도록 설계된 전류 바이어스 회로를 mirroring하게 흐르도록 하므로 CSA의 signal voltage의 변동을 최소화시키는 기술임]. 또한 노이즈를 줄이고 shaping time을 줄이기 위해 미분기와 적분기를 사용한 pulse shaper를 사용한 베타선 센서임.
- 레이아웃 사진 -