| IP명 | CMOS Power Amplifier with improved Eff in the Low Power | ||
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| Category | RF | Application | Power Amplifier |
| 실설계면적 | 3.8㎛ X 3.8㎛ | 공급 전압 | 3.3V |
| IP유형 | Hard IP | 동작속도 | 2.4 GHz |
| 검증단계 | Silicon | 참여공정 | MS180-1401 |
| IP개요 | 현재 실리콘 CMOS 공정을 이용하여 PA를 만드는 많은 연구가 진행되고 있으며 공정상의 문제 뿐만 아니라 대다수 PA가 가지는 저전력에서의 낮은 효율이 문제되고 있다. 이러한 문제를 해결하기 위한 PA 및 관련 회로들에 대하여 설계하였다. |
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- 레이아웃 사진 -
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