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IP Library

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"한국 반도체산업의 경쟁력"

IDEC에서 설계인력양성의 발판을 마련하겠습니다.

IP명 DRAM용 Refresh 전류 감지 및 예측회로
Category Analog Application DRAM
실설계면적 4㎛ X 4㎛ 공급 전압 1.1V
IP유형 Hard IP 동작속도 100MHz
검증단계 Simulation 참여공정 SS28-2001
IP개요 DRAM용 Refresh 전류 감지 및 예측회로
- 레이아웃 사진 -