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IP Library

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"한국 반도체산업의 경쟁력"

IDEC에서 설계인력양성의 발판을 마련하겠습니다.

IP명 PRAM향 OTS Snapback current로 인한 Damage를 줄이는 Discharge path 회로 연구
Category Mixed Application Memory
실설계면적 5㎛ X 1㎛ 공급 전압 3.3V
IP유형 Soft IP 동작속도 5MHz
검증단계 Silicon 참여공정 HM-2003
IP개요 차세대 메모리로 사용되는 phase-change memory의 신뢰성을 개선시키는 회로를 설계하였다. 메모리 소자에 전달되는 데미지를 완화시키는 방전회로를 고안하였다.
- 레이아웃 사진 -