| IP명 | Low Noise Patch-clamp | ||
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| Category | Analog | Application | Patch-clamp |
| 실설계면적 | 5㎛ X 2㎛ | 공급 전압 | 1.5V |
| IP유형 | 동작속도 | 10KHz | |
| 검증단계 | Silicon | 참여공정 | MS350-1502 |
| IP개요 | 패치 클램프 기술을 활용해 Ion transistor의 전류동작을 측정하기 위한 회로를 제작한다. 패치-클램프 구성은 개별 이온 채널을 모니터링하도록 고안되어 왔다. 그 기본적인 기능은 마이크로 피펫에 의해 패치 세포막을 가로 질러 흐르는 피코-나노 암페어 범위의 이온 전류의 변화를 측정하기 위한 기술이다. 여기서 제안된 시스템은 steady-state와 transient mode의 두가지 단계로 동작하게 된다. steady-state에서는며 headstage와 T/H circuit이 보통의 rf-TIA와 unity-gain difference amplifier로 동작하여 nanopore로 전도되는 DNA의 전류 관계를 측정하게 된다. transient mode로 동작하게 되면 headstage에서 캐패시터와 T/H circuit에 최근 측정 정보를 저장한다. | ||
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- 레이아웃 사진 -
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