| IP명 | 펄스신호 고속처리 회로 | ||
|---|---|---|---|
| Category | Analog | Application | 군용장비 |
| 실설계면적 | 4㎛ X 3㎛ | 공급 전압 | 3.3V |
| IP유형 | Hard IP | 동작속도 | 50MHz |
| 검증단계 | Simulation | 참여공정 | MS350-1502 |
| IP개요 | 본 설계에서는 핵폭발시 발생하는 감마선이 PIN diode에 입력되면 발생되는 photo current를 감지하고, 검출 신호를 출력하여 군용장비에 사용되는 전자부품의 전원을 일시적으로 차단함으로써 전자부품을 보호하는 핵 방호기술을 구축하기 위한 펄스신호 고속처리 회로이다. | ||
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- 레이아웃 사진 -
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