| IP명 | 0.35㎛ CMOS Low-Voltage Current/Voltage Reference Circuits | ||
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| Category | Analog | Application | micro-power chip |
| 실설계면적 | 5㎛ X 4㎛ | 공급 전압 | 3.3V |
| IP유형 | Hard IP | 동작속도 | 1MHz |
| 검증단계 | Silicon | 참여공정 | MS350-1701 |
| IP개요 | 오늘날 BGR 회로는 아날로그 시스템과 디지털 시스템에서 중요한 부분으로 기준 전류나 전압을 발생하는 전류원 또는 전압원으로 사용되고 있다. 아날로그 시스템과 디지털 시스템의 전원 전압은 공정기술의 발달로 점점 낮아지고 있는 추세이므로 아날로그 시스템과 디지털 시스템에 사용되는 밴드갭 레퍼런스 회로는 저전압에서 동작할 필요가 있다. 기본적인 BGR 회로는 BJT를 사용하기 때문에 전원 전압은 1.4V 이상에서 동작하므로 전원전압이 1V인 저전압에서는 사용할 수 없다. 그러므로 저전압에서 구동되는 회로를 설계하기 위하여 Weak-Inversion 영역에서 동작하는 MOS 트랜지스터의 threshold voltage와 전자의 이동도의 온도에 대한 동작특성을 사용하였다. Weak-Inversion에서 동작하는 MOS 트랜지스터들을 이용하면 낮은 전원 전압에서 동작 가능하고 소비하는 전력을 낮출 수 있지만[1] channel length modulation 효과 그리고 gate leakage와 같은 문제가 발생되어 진다[1]. 그래서 모든 MOS mirror들은 channel length modulation 효과를 제거하기 위해 본 연구에 모든 MOS mirror들은 Composite transistor들로 구성하였다. 본 연구에서는 Weak-Inversion에서 동작하는 MOS 트랜지스터들만 사용함으로써 0.9V의 전원 전압에서 동작하는 기준 전압 또는 전류를 발생하는 회로를 제안한다. |
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- 레이아웃 사진 -
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