| IP명 | Development of the Radiation Hardening BiCMOS ASIC circuit | ||
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| Category | Analog | Application | 내방사선회로, Computed Tomography |
| 실설계면적 | 3.8㎛ X 1.9㎛ | 공급 전압 | 3.3V |
| IP유형 | Hard IP | 동작속도 | 100MHz |
| 검증단계 | Silicon | 참여공정 | MS180-1702 |
| IP개요 | 일본 후쿠시마 원전 사고 이후 원전에 대한 안전을 우려하는 사람들이 증가하고 있다. 이에 따라 원전사고를 신속히 발견하고 초기대응 할 수 있는 내방사선회로 설계가 화두가 되고 있다. 일반적으로 회로설계 시 사용되는 MOSFET의 경우 방사선이 주입 되었을 때 TID(Total Ionizing Dose) 및 SEE(Single Event Effect)가 발생하여 threshold voltage shift, noise, leakage current 및 소자가 파괴되는 현상이 발생한다. TID는 방사선이 MOSFET에 흡수되어 EHP (Electron Hole Pair)를 형성하는데 이때 반도체에서 Insulator 역할을 하는 Oxide부분이 변화하여 소자의 parameter들을 변화시키게 된다. 이에 따라 radiation hardened circuit을 구현하기 위해 Oxide 층이 존재하지 않는 Bipolar junction transistor을 사용한다. |
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