| IP명 | CMOS 기술기반 실시간 테라헤르츠 이미징 시스템 | ||
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| Category | Analog | Application | 센서 |
| 실설계면적 | 4㎛ X 4㎛ | 공급 전압 | 1V |
| IP유형 | Hard IP | 동작속도 | 24Hz |
| 검증단계 | Silicon | 참여공정 | SS65-1701 |
| IP개요 | 상온에서 동작하는 테라헤르츠 검출기를 제작. 테라헤르츠 검출 동작을 위해 실리콘 기반의 비공진모드의 동작원리를 이용하여 NMOS 의 소스와 드레인의 비대칭 경계조건을 위해 비대칭 구조로 디자인. 제작된 각 소자를 배열형으로 패키징하여 실시간/대면적 검출이 가능한 시스템을 구성. | ||
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- 레이아웃 사진 -
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