| IP명 | Development of the Radiation Hardening Amplifier ASIC circuit | ||
|---|---|---|---|
| Category | Analog | Application | 내방사선 회로, Computed Tomography, Dosimeter |
| 실설계면적 | 3.8㎛ X 3.8㎛ | 공급 전압 | 3.3V |
| IP유형 | Hard IP | 동작속도 | 100MHz |
| 검증단계 | Silicon | 참여공정 | MS180-1701 |
| IP개요 | Development of the Radiation Hardening Amplifier ASIC circuit 일본 후쿠시마 원전 사고 이후 원전에 대한 안전을 우려하는 사람들이 증가하고 있다. 이에 따라 원전사고를 신속히 발견하고 초기대응 할 수 있는 내방사선회로 설계가 화두가 되고 있다. 일반적으로 회로설계 시 사용되는 MOSFET의 경우 방사선이 주입 되었을 때 TID(Total Ionizing Dose) 및 SEE(Single Event Effect)가 발생하여 threshold voltage shift, noise, leakage current 및 소자가 파괴되는 현상이 발생한다. 이러한 radiation의 영향을 줄여 원전사고시 신속히 대처할수 있도록 하는것이 목표이다. |
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