| IP명 | Advanced Multi S/D CMOS Noise Detector | ||
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| Category | Analog | Application | Physical research |
| 실설계면적 | 3㎛ X 3㎛ | 공급 전압 | 1.8V |
| IP유형 | Hard IP | 동작속도 | 100MHz |
| 검증단계 | Simulation | 참여공정 | MS180-1605 |
| IP개요 | Advanced Multi-S/D MOSFET implementation: MPW 공정을 통해 제작했던 지난번 Multi-S/D 소자의 경우, 설계의 의도대로 inline S/D current path와 cross S/D current path가 모두 MOSFET 모드로 동작하는 것을 확인하였다. 이번 MPW 프로세스를 통해, bridge gate의 Length와 MOS device의 gate length를 조절하여, inline current path과 cross current path의 전류 비를 조절한다. 또 PMOS 소자도 추가하여, PMOS Multi S/D 소자 제작 및 분석도 시행한다. | ||
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- 레이아웃 사진 -
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