| IP명 | 2.4 GHz / 5 GHz 에서 동작하는 Dual-band CMOS 전력증폭기 설계 | ||
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| Category | Analog | Application | RF block |
| 실설계면적 | 3.8㎛ X 3.8㎛ | 공급 전압 | 3.3V |
| IP유형 | Hard IP | 동작속도 | 2.4 GHz |
| 검증단계 | Silicon | 참여공정 | MS180-1604 |
| IP개요 | 본 논문은 RF신호 송?수신 단에서 사용되는 전력증폭기 설계에 관한 내용으로 2-stage 전력증폭기의 각 Matching network에 Switch 회로를 추가하여 2.4 GHz와 5GHz에서 모두 동작할 수 있도록 하였다. 설계는 0.18μm CMOS 공정을 사용하였고 공급전압 3.3 V에서 동작하도록 설계하였다. 설계된 전력증폭기는 2.4 GHz 동작주파수에서 28dB의 Gain, 27dBm의 P1dB 그리고 16%의 PAE 특성을갖고, 5 GHZ 동작주파수에서 28.5 dB의 Gain, 27.8 dBm의 P1dB 그리고 22.9%의 PAE 특성을 갖는다. | ||
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- 레이아웃 사진 -
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