| IP명 | Design of FET for Millimeter-wave and Millimeter-wave Power Amplifier using stacked-FET | ||
|---|---|---|---|
| Category | Analog | Application | WPAN/WLAN |
| 실설계면적 | 4㎛ X 4㎛ | 공급 전압 | 1.2V |
| IP유형 | Hard IP | 동작속도 | 60GHz |
| 검증단계 | Silicon | 참여공정 | SS65-1601 |
| IP개요 | 무선랜, 자동차 레이더등의 무선 상용이용의 증가함에 따라 RF PA의 고출력에 관한 요구가 증가하고 있다. 또한 이와 관련하여 제작공정이 비교적 간단하고 저비용으로 제작이 가능한 CMOS 공정을 이용해 고파워의 PA를 설계하려는 노력이 이어지고 있다. 하지만, 기존까지는 비교적 주파수가 낮은 10~40GHz 대역에 대해서 SOI CMOS 공정을 이용하여 출력을 상향시키는 방법이 주를 이루었다. 본 연구는 각국의 전파제한 규제에서 자유로운 60GHz 대역을 중심으로 고출력 Stacked PA를 설계하였다. 또한 고주파 Stacked PA를 설계하기 위해, 기존의 FET구조는 타 공정대비 큰 parasitic cap을 지니기 때문에 적합하지 않다. 최적화를 위해 FET size와 구조를 변경하는 연구가 병행될 예정이다. | ||
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- 레이아웃 사진 -
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