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IP명 A Readout circuit for SLC Phase Change Memory with Temperature drift compensation
Category Analog Application memory
실설계면적 0.8㎛ X 1㎛ 공급 전압 3.3V
IP유형 동작속도 10MHz
검증단계 Simulation 참여공정 MS180-1603
IP개요 SLC PCRAM의 온도에 따른 data drift 를 보상해주기 위한 readout circuit. 온도에 따라 변하는 cell들로 부터 drift 정보를 역으로 찾아내어 drift 정도 만큼 reference를 보상 함으로써 error 율 감소
- 레이아웃 사진 -