| IP명 | Radiation tolerant 12-bit 100kSPS SAR ADC | ||
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| Category | Mixed | Application | 연구 |
| 실설계면적 | 5㎛ X 4㎛ | 공급 전압 | 1.8V |
| IP유형 | Hard IP | 동작속도 | 100kHz |
| 검증단계 | Simulation | 참여공정 | MS350-1601 |
| IP개요 | 우주용 내방사선 12-bit 100kSPS SAR ADC를 0.35um CMOS 공정을 이용하여 설계할 예정이다. 우주방사선에 노출되었을 때 발생하는 누설전류에 의한 Functional failure를 막기 위해 DRC waive를 거쳐 DGA n-MOSFET으로 Full-custom 설계를 진행할 예정이다. 이때 공급전압은 저전력 설계를 위해서 1.8V를 사용한다.단위 Capacitor들의 부정합에 의한 선형성 error를 줄이기 위해서 상위 bit을 Thermometer-encoded DAC, 하위 bit을 Binary-weighted DAC을 이용하여 얻는 segmented DAC 구조로 설계할 예정이며 추가적으로 예상되는 우주방사선에 의한 열화현상을 막기 위해서 Offset calibration과 Noise reduction 기법을 적용한 비교기를 설계할 예정이다. 또한 Bootstrapping 회로에서 예상되는 누설전류 경로를 Guard-ring을 통해 억제한다. |
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- 레이아웃 사진 -
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