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IP명 Design of Active Interposer including Buffers for Next Generation DRAM System
Category Analog Application 연구
실설계면적 5㎛ X 4㎛ 공급 전압 3.3V
IP유형 동작속도 4Hz
검증단계 Silicon 참여공정 MS350-1601
IP개요 본 MPW MS350-1601회를 매그나칩반도체/SK하이닉스 350 nm 를 통하여 차세대 DRAM 시스템 내 Active interposer상에 Chip-to-chip high-speed channel의 보다 넓은 Data bandwidth을 확보하기 위해서 Buffer를 설계를 목적으로 한다.
- 레이아웃 사진 -